Tsuprem4相关论文
针对70V BCD工艺中核心器件的特殊性，采用Matlab进行了器件参数提取。在Tsuprem4和Medici的仿真基础之上，以HVPMOS为例，阐述了高......
VDMOS是微电子技术和电力电子技术融和起来的新一代功率半导体器件。它具有开关速度快、输入阻抗高和负温度系数等一系列优点，广泛......
基于Tsuprem4和Medici模拟软件，研究了HaloLDD多晶硅薄膜晶体管工艺参数对热载流子效应的影响。结果表明，器件的热载流子效应随着Hal......
本文提出了一个建立150VIGBT器件工艺模型的设计方案。并在设定的电学参数奈件下，选择了合适的掺杂浓度及厚度。利用模拟软件Tsupre......
利用Tsuprem4和Medici软件，研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数，如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响，得到了它们之间的关系......
利用工艺仿真软件Tsuprem4，针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准，并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真。结合Medici得到LDMOSFET的......
为了降低栅源寄生电容C_(gs),提出了一种带有阶梯栅n埋层结构的新型射频LDMOS器件;采用Tsuprem4软件对其进行仿真分析,重点研究了n......
基于Tsuprem4和Medici模拟软件，研究了LDD结构对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响。计算结果表明当栅氧层厚度tox=0．07μm时，碰撞......
近年来,随着多晶硅薄膜晶体管（poly-Si Thin Film Transistor:TFT）技术的不断发展,其应用也越来越广泛,并被视为a-Si薄膜晶体管的理......
